Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.7

Среднее значение в тестах

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Причины выбрать
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

56 73

Около -30% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.9 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 56
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 18.7
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 2235

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

модули RAM

AMD R334G1339U2S 4GB

AMD R334G1339U2S 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB

Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Kingston 9905630-018.A00G 8GB

Kingston 9905630-018.A00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-CG 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

модули RAM