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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
73
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
56
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
8.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2235
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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