RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 17
    Среднее значение в тестах
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 69
    Около -188% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    13.5 left arrow 1,441.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    69 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,325.1 left arrow 17.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,441.2 left arrow 13.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    525 left arrow 2703

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
модули RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
модули RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
модули RAM