RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
69
Около -165% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.4
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
21.2
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3755
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link