RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
22.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
69
Около -165% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.7
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
22.9
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3962
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link