RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
69
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2636
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link