RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2135
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link