RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
69
Autour de -188% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2135
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link