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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
69
Autour de -188% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2135
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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