RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
69
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2760
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link