RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
51
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3220
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link