RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
51
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3220
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link