RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
51
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
19
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3220
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link