RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
69
Около -229% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2994
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link