RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
69
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3394
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ME68FAF1600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link