RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
69
Около -283% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
18
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3431
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link