Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 23

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

15 69

Около -360% меньшая задержка
Выше скорость записи

21.0 1,441.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 15
Скорость чтения, Гб/сек

3,325.1 23.0
Скорость записи, Гб/сек

1,441.2 21.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

525 4039

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB

модули RAM