RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
69
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3164
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link