RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
69
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.4
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2110
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link