RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
69
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2110
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link