RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Kingston 9905713-001.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
69
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.6
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
1808
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link