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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905713-001.A00G 4GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
64
69
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.6
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
64
读取速度,GB/s
3,325.1
16.8
写入速度,GB/s
1,441.2
6.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
1808
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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