RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
69
Около -176% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.1
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
1858
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link