RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1858
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link