RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
73
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
73
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
1822
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link