RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
68
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.0
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
11.7
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
1901
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link