Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.3

Среднее значение в тестах

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 68

Около -127% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.4 1,702.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 30
Скорость чтения, Гб/сек

3,886.6 17.3
Скорость записи, Гб/сек

1,702.6 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

654 3267

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston KHX2400C14/16G 16GB

Kingston KHX2400C14/16G 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

AMD R948G2806U2S 8GB

AMD R948G2806U2S 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston KHX426C13/8G 8GB

Kingston KHX426C13/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston 9905663-021.A00G 16GB

Kingston 9905663-021.A00G 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

модули RAM