RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
5.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
5.4
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1774
2583
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link