RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
60
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
60
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
10.9
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
2813
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link