RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.0
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.7
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2735
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link