Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Note globale
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Note globale
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    22 left arrow 27
    Autour de 19% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.7 left arrow 17.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.0 left arrow 12.7
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    22 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    17.7 left arrow 17.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.7 left arrow 13.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    3075 left arrow 2735
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons