RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
50
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
19.4
Скорость записи, Гб/сек
10.9
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
3648
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link