RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
50
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
10.9
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
2653
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Сравнения RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link