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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
50
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
36
读取速度,GB/s
15.3
16.4
写入速度,GB/s
10.9
11.1
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
2653
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB RAM的比较
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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