RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
50
Около -56% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
10.8
Скорость записи, Гб/сек
10.9
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
2349
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link