RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
50
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2349
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link