RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
71
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
71
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
10.9
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
1863
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link