RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Сравнить
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB против Kingston KVR26N19D8/16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Средняя оценка
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
54
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
7.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
54
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
7.6
Скорость записи, Гб/сек
13.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2987
1611
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link