RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сравнить
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.8
Скорость записи, Гб/сек
13.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2987
2570
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link