Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

总分
star star star star star
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

总分
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    33 left arrow 51
    左右 35% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.1 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.0 left arrow 12.5
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    33 left arrow 51
  • 读取速度,GB/s
    16.1 left arrow 15.8
  • 写入速度,GB/s
    13.0 left arrow 12.5
  • 内存带宽,mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2987 left arrow 2570
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较