RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB против Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.8
Скорость записи, Гб/сек
13.0
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2987
2340
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link