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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
33
Intorno -32% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
25
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
13.0
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2987
2340
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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