Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Причины выбрать
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

45 51

Около 12% меньшая задержка

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.3 15.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.7 12.8

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 51
Скорость чтения, Гб/сек

15.6 16.3
Скорость записи, Гб/сек

12.8 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 25600

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2925 2874

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston 9965589-033.D00G 8GB

Kingston 9965589-033.D00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

модули RAM