RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link