Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB против Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Средняя оценка

Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 32

Около 25% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB

Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.6 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.1 10.6

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 32
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 16.6
Скорость записи, Гб/сек

10.6 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2196 3009

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

модули RAM