RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3614
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link