RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3614
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link