RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB против Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
3143
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link