RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
3143
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link