RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
10.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
3066
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link