RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
3066
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link